Сайт nashuch.ru и его партнеры используют на этом сайте определенные технологии, в том числе файлы cookie, чтобы подбирать материалы и рекламу на основе интересов и анализа активности пользователей. Чтобы узнать подробности, ознакомьтесь с нашей политикой конфиденциальности. Оставаясь на сайте, вы даете согласие на использование этих технологий. nashuch.ru также участвует в рекламной деятельности третьих сторон, которая учитывает интересы пользователей. Это позволяет поддерживать наши сервисы и предлагать вам подходящие материалы. Нажимая кнопку «Принять», вы выражаете согласие с описанной рекламной деятельностью.

принять

при небольшом количестве циклов перезаписи



Скачать 224.2 Kb.
страница1/14
Дата10.07.2019
Размер224.2 Kb.
Название файлаreferat_2_1.docx
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14

Введение


На сегодняшний день одним из наиболее широко используемых запоминающих устройств является флэш-память благодаря дешевизне, компактности, большому объему и низкому электропотреблению. Однако флэш-технология практически достигла предела миниатюризации и имеет относительно большое время записи (105 нс) при небольшом количестве циклов перезаписи (104).

В связи с недостатками флэш-памяти разработка энергонезависимой памяти нового поколения является важной задачей. Данная память должна обладать большим количеством циклов перезаписи, более высокими скоростями записи и чтения, меньшей потребляемой мощностью, более долгим временем хранения информации.

Одним из наиболее перспективных видов энергонезависимых запоминающих устройств нового поколения считается фазовая память (PCM) [1-3], которая по ряду показателей либо уже превосходит, либо в перспективе может превзойти существующие и разрабатываемые виды памяти. Более того, она претендует на то, чтобы стать универсальной, сочетающей в себе достоинства энергонезависимой и быстродействующей динамической памятей, обладающей к тому же повышенной радиационной стойкостью.

В настоящее время наиболее перспективными материалами для РСМ ячеек являются халькогенидные полупроводники в тройной системе Ge-Sb-Te, в частности соединения, лежащие на линии квазибинарного разреза GeTe - Sb2Te3 (GeSb4Te7, GeSb2Te4 и Ge2Sb2Te5).

Необходимость совершенствования технологии фазовой памяти требует разработки эффективных методов управления свойствами халькогенидных полупроводников. Традиционным методом управления свойствами полупроводников является легирование. Однако легирование халькогенидных полупроводников является сложной научно-практической задачей, поскольку они, как правило, слабо изменяют свои свойства при легировании. Перспективными легирующими примесями для материалов системы Ge-Sb-Te являются Bi, Ti, In, N, которые либо изоморфны, либо изовалентны, либо расположены близко в Периодической системе и имеют близкие радиусы атомов с элементами, входящими в данную систему.

Однако, несмотря на ряд преимуществ фазовой памяти устройства фазовой памяти пока не являются конкурентоспособными на рынке. Это связано с тем, что не до конца отработана технология, а также не решен ряд научно-практических задач. Несмотря на активные исследования данных материалов, исследования электрофизических свойств соединений на квазибинарном разрезе GeTe-Sb2Te3 и исследование возможности управления электрофизическими свойствами за счет введения легирующих примесей в материалы системы Ge-Sb-Te, являются актуальными задачами, решение которых имеет важное научное и практическое значение.




Обзор энергонезависимых запоминающих устройств
Материалы фазовой памяти
Температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок на основе материалов квазибинарного разреза sb
Рисунок 3– эффект переключения
Рисунок 4– вольт-амперная характеристика тонкой пленки на основе хсп
Влияние модифицирующих примесей на свойства тонких пленок материалов системы ge-sb-te
Возможные направления дальнейших исследований
Список литературы


Поделитесь с Вашими друзьями:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14


База данных защищена авторским правом ©nashuch.ru 2017
обратиться к администрации | Политика конфиденциальности

    Главная страница
Контрольная работа
Курсовая работа
Лабораторная работа
Пояснительная записка
Методические указания
Рабочая программа
Методические рекомендации
Теоретические основы
Практическая работа
Учебное пособие
Общая характеристика
Общие сведения
Теоретические аспекты
Физическая культура
Дипломная работа
Самостоятельная работа
Федеральное государственное
История развития
Направление подготовки
квалификационная работа
Выпускная квалификационная
Общая часть
Техническое задание
Технологическая карта
Методическое пособие
Краткая характеристика
государственное бюджетное
Теоретическая часть
прохождении производственной
Техническое обслуживание
Методическая разработка
Технология производства
Общие положения
Математическое моделирование
Исследовательская работа
Металлические конструкции
Организация работы
Понятие предмет
Правовое регулирование
учреждение высшего
Гражданское право
Уголовное право
Описание технологического
Технологическая часть
Практическое занятие
Решение задач
Метрология стандартизация
Общие требования
История возникновения
Основная часть
физическая культура