при небольшом количестве циклов перезаписи



Скачать 224.2 Kb.
страница1/14
Дата10.07.2019
Размер224.2 Kb.
Название файлаreferat_2_1.docx
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14

Введение


На сегодняшний день одним из наиболее широко используемых запоминающих устройств является флэш-память благодаря дешевизне, компактности, большому объему и низкому электропотреблению. Однако флэш-технология практически достигла предела миниатюризации и имеет относительно большое время записи (105 нс) при небольшом количестве циклов перезаписи (104).

В связи с недостатками флэш-памяти разработка энергонезависимой памяти нового поколения является важной задачей. Данная память должна обладать большим количеством циклов перезаписи, более высокими скоростями записи и чтения, меньшей потребляемой мощностью, более долгим временем хранения информации.

Одним из наиболее перспективных видов энергонезависимых запоминающих устройств нового поколения считается фазовая память (PCM) [1-3], которая по ряду показателей либо уже превосходит, либо в перспективе может превзойти существующие и разрабатываемые виды памяти. Более того, она претендует на то, чтобы стать универсальной, сочетающей в себе достоинства энергонезависимой и быстродействующей динамической памятей, обладающей к тому же повышенной радиационной стойкостью.

В настоящее время наиболее перспективными материалами для РСМ ячеек являются халькогенидные полупроводники в тройной системе Ge-Sb-Te, в частности соединения, лежащие на линии квазибинарного разреза GeTe - Sb2Te3 (GeSb4Te7, GeSb2Te4 и Ge2Sb2Te5).

Необходимость совершенствования технологии фазовой памяти требует разработки эффективных методов управления свойствами халькогенидных полупроводников. Традиционным методом управления свойствами полупроводников является легирование. Однако легирование халькогенидных полупроводников является сложной научно-практической задачей, поскольку они, как правило, слабо изменяют свои свойства при легировании. Перспективными легирующими примесями для материалов системы Ge-Sb-Te являются Bi, Ti, In, N, которые либо изоморфны, либо изовалентны, либо расположены близко в Периодической системе и имеют близкие радиусы атомов с элементами, входящими в данную систему.

Однако, несмотря на ряд преимуществ фазовой памяти устройства фазовой памяти пока не являются конкурентоспособными на рынке. Это связано с тем, что не до конца отработана технология, а также не решен ряд научно-практических задач. Несмотря на активные исследования данных материалов, исследования электрофизических свойств соединений на квазибинарном разрезе GeTe-Sb2Te3 и исследование возможности управления электрофизическими свойствами за счет введения легирующих примесей в материалы системы Ge-Sb-Te, являются актуальными задачами, решение которых имеет важное научное и практическое значение.




Поделитесь с Вашими друзьями:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14


База данных защищена авторским правом ©nashuch.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница
Контрольная работа
Курсовая работа
Лабораторная работа
Пояснительная записка
Методические указания
Рабочая программа
Методические рекомендации
Теоретические основы
Практическая работа
Учебное пособие
Общая характеристика
Общие сведения
Теоретические аспекты
Физическая культура
Дипломная работа
Федеральное государственное
Самостоятельная работа
История развития
Направление подготовки
квалификационная работа
Общая часть
Техническое задание
Выпускная квалификационная
Методическое пособие
Технологическая карта
Краткая характеристика
Теоретическая часть
Методическая разработка
прохождении производственной
государственное бюджетное
Технология производства
Техническое обслуживание
Гражданское право
Общие положения
Исследовательская работа
Металлические конструкции
Организация работы
учреждение высшего
Правовое регулирование
Математическое моделирование
Технологическая часть
Решение задач
Понятие предмет
Описание технологического
Практическое занятие
Метрология стандартизация
Уголовное право
Сравнительная характеристика
История возникновения
Основная часть
Общие требования