Сайт nashuch.ru и его партнеры используют на этом сайте определенные технологии, в том числе файлы cookie, чтобы подбирать материалы и рекламу на основе интересов и анализа активности пользователей. Чтобы узнать подробности, ознакомьтесь с нашей политикой конфиденциальности. Оставаясь на сайте, вы даете согласие на использование этих технологий. nashuch.ru также участвует в рекламной деятельности третьих сторон, которая учитывает интересы пользователей. Это позволяет поддерживать наши сервисы и предлагать вам подходящие материалы. Нажимая кнопку «Принять», вы выражаете согласие с описанной рекламной деятельностью.

принять

1. Полупроводниковые приборы



Скачать 41.06 Kb.
страница6/15
Дата24.05.2018
Размер41.06 Kb.
Название файла-
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15
Диффузионная- обусловлена накоплением в области неосновных для неё носителей (электронов в p-области и дырок в n-области) при прямом смещении. Диффузионная ёмкость увеличивается с ростом прямого напряжения.

№6

1. Собственные примесные полупроводники, их получение



Свободными носителями заряда в полупроводниках, как правило, являются электроны, возникающие в результате ионизации атомов самого полупроводника.Электропроводность, возникающая под действием электрического поля за счет движения электронов и в противоположном направлении такого же количества дырок, называется собственной.
2. Электронная эмиссия и её виды

Электронная эмиссия — явление испускания электронов поверхностью твёрдого тела или жидкости.
3. Особенности режимов работы усилителя

Усилительные элементы могут работать в различных режимах.  Режимом А работы усилительного элемента называют  такой режим, при  котором ток  в  выходной цепи существует в течение всего периода усиливаемого сигнала. В режиме В ток в выходной цепи усилительного элемента существует в течение чуть больше половины периода усиливаемого сигнала, а в режиме С - чуть меньше половины периода. Режимом D, или ключевым режимом, называют такой режим, при котором усилительный элемент может находиться в одном из двух состояний: либо полностью открыт, либо полностью закрыт.

№7

1. Многоэлектродные лампы



Многоэлектродные лампы. Основным применением многоэлектродных ламп является преобразование частоты в супергетеродинных приемниках. Эти лампы имеют по две управляющие сетки, к которым подводятся два различных по частоте напряжения, под действием которых изменяется анодный токК этому типу ламп относится гексод — шестиэлек- тродная лампа, имеющая четыре сетки. На первую сетку (считая от катода) подается напряжение местного гетеродина, на третью — сигнальную сетку — входной сигнал. Вторая и четвертая сетки являются экранирующими. — гептод (пентагрид)—семиэлектродная лампа с пятью сетками— октод — восьмиэлектродная лампа, являющаяся сочетанием триода и пентода.
2. Оптоэлектронные приборы.

Оптронными приборами называют такие полупроводниковые приборы, в которых имеются источник и приемник излучения с тем или иным видом оптической связи между ними. В излучателе энергия электрического сигнала преобразуется в световую, а в фотоприемнике, наоборот, световой сигнал вызывает электрический отклик.

3. Структура, принцип работы, вольтамперная характеристика тиристора.

№8

1. Полупроводниковые диоды.



Полупроводниковый электрический диод или диодный вентиль – это устройство, которое выполнено из полупроводниковых материалов (как правило, из кремния) и работает только с односторонним потоком заряженных частиц. Основным компонентом является кристаллическая часть, с p-n переходом, которая подключена к двум электрическими контактами. Трубки вакуумного диода имеют два электрода: пластину (анод) и нагретый катод.

2. Устройство полостных и точечных диодов

Особенностью точечного диода является конструкция его электродов, один из которых является металлической иглой. В процессе производства эта игла. вплавляется в кристалл полупроводника, в результате чего получается p-n переход требуемой проводимости. Такой переход имеет малую площадь, а, следовательно, малую паразитную емкость. 

Плоскостные диоды имеют плоский электрический переход, линейные размеры которого,определяющие площадь, значительно больше ширины перехода. Площадь может составлять сотые доли квадратных миллиметров. Плоскостные диоды используются для работы на частотах до 10кГц. Ограничения по частоте связано с большой барьерной емкостью p-n перехода.

3. Полупроводниковый индикатор



Длительность импульса
Электропроводность-
Электронно-оптический преобразователь-
Мультивибратор
Электро́нная ла́мпа-
Интегральная микросхема 
Накальные индикаторы
Выпрямительные диоды
Операционный усилитель
Усилителями постоянного тока
Фотопроводимость


Поделитесь с Вашими друзьями:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15


База данных защищена авторским правом ©nashuch.ru 2017
обратиться к администрации | Политика конфиденциальности

    Главная страница
Контрольная работа
Курсовая работа
Лабораторная работа
Пояснительная записка
Методические указания
Рабочая программа
Методические рекомендации
Теоретические основы
Практическая работа
Учебное пособие
Общая характеристика
Общие сведения
Теоретические аспекты
Физическая культура
Федеральное государственное
Дипломная работа
Самостоятельная работа
История развития
Методическое пособие
Техническое задание
Направление подготовки
квалификационная работа
Общая часть
Выпускная квалификационная
государственное бюджетное
Теоретическая часть
Методическая разработка
Технологическая карта
Краткая характеристика
прохождении производственной
Общие положения
Техническое обслуживание
Исследовательская работа
Технология производства
Решение задач
Металлические конструкции
Правовое регулирование
Математическое моделирование
Понятие предмет
Практическое занятие
Основная часть
Гражданское право
Описание технологического
Общие требования
Уголовное право
физическая культура
Организация работы
Электрические машины
История возникновения
Технические характеристики
Метрология стандартизация